类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

包装/外壳

表面安装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

ECCN 代码

类型

端子表面处理

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

通道数量

操作模式

功率耗散

箱体转运

晶体管应用

上升时间

极性/通道类型

产品类别

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

产品

SN7002NL6327XT
SN7002NL6327XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.9

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Compliant

EAR99

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

1.8

0.2

5000@10V

1@10V

1

0.42

0.14

5.9

34@25V

7.2

360

3.6

3.2

5.3

2.4

-55

150

表面贴装

1(Max)

1.3

卷带

Obsolete

3

Single

N

IRFH7923PBF
IRFH7923PBF
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

5

SILICON

5

8

QFN

PQFN

No Lead

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

小概要

PLASTIC/EPOXY

30

150 °C

有

IRFH7923PBF

RECTANGULAR

International Rectifier

1

Obsolete

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

5.83

QFN

15 A

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

30

±20

15

8.7@10V

[email protected]

1095@15V

3100

4.9

8.7

8.6

7.1

-55

150

表面贴装

0.95(Max)

6

e3

Obsolete

EAR99

Matte Tin (Sn)

8541.29.00.95

FET 通用电源

DUAL

无铅

260

unknown

8

R-PDSO-N5

不合格

单四漏三源

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

15 A

0.0087 Ω

120 A

30 V

N

26 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

3 W

XTY02N120PTRL
XTY02N120PTRL
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Acquired

IXTH03N400
IXTH03N400
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

4000

±20

4

0.3

100

10

290000@10V

16.3@10V

16.3

435@25V

130000

58

16

86

17

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.3(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

TO-247

Obsolete

3

Single

N

IXTH4N100L
IXTH4N100L
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

有

有

无

无

活跃

SP000307379
SP000307379
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3.5

9

100

1

399@10V

17@10V

17

890@100V

83000

14

14

80

35

-55

150

符合免除

EAR99

有

有

功率MOSFET

CoolMOS

Enhancement

1

500

±20

卷带

Obsolete

Single

N

SPP80P06PXK
SPP80P06PXK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

EAR99

有

Unknown

功率MOSFET

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

80

23@10V

115@10V

115

4026@25V

340000

30

18

56

24

-55

175

通孔

9.25

4.4

10

3

Tab

TO-220

TO-220

通孔

Tube

Obsolete

3

Single

P

IXTH1R4N250P3
IXTH1R4N250P3
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

有

有

无

无

活跃

ON5247 (PHB32N06LT)
ON5247 (PHB32N06LT)
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

175

符合免除

EAR99

有

有

功率MOSFET

Enhancement

1

60

15

34

37@10V

17@5V

920@25V

97000

55

120

45

14

-55

活跃

Single

N

BUK582-100A,115
BUK582-100A,115
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

供应商未确认

有

有

表面贴装

1.7(Max)

3.7(Max)

6.7(Max)

3

Tab

SC

SC-73

Gull-wing

Obsolete

4

BST120,115
BST120,115
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

无

表面贴装

1.6(Max)

2.6(Max)

4.6(Max)

3

Tab

SOT-89

Unconfirmed

4

PHP21N06LT/B
PHP21N06LT/B
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1

55

±15

19

70@10V

9.4@5V

466@25V

56000

25

88

25

7

-55

175

通孔

9.4(Max)

4.7(Max)

10.3(Max)

3

Tab

TO-220AB

供应商未确认

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

Obsolete

3

Single

N

PSMN006-20K,118
PSMN006-20K,118
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

[email protected]

[email protected]

4350@25V

8300

90

32

190

65

-55

150

表面贴装

1.45(Max)

4(Max)

5(Max)

8

SO

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

20

±10

32

卷带

Obsolete

8

单四漏三源

N

BUK98180-100A/CU
BUK98180-100A/CU
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

有

有

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

100

10

4.6

173@10V

464@25V

8000

25

89

18

7

-55

150

汽车

表面贴装

1.7(Max)

3.7(Max)

6.7(Max)

3

Tab

SC-73

Compliant

EAR99

卷带

Unconfirmed

4

单排双泄

N

IXTX120N65X2
IXTX120N65X2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

650

±30

5

120

100

50

23@10V

230@10V

230

13600@25V

1250000

10

24

87

32

-55

150

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

16.13(Max)

3

Tab

PLUS 247

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANTXV2N7225
GRP-DATA-JANTXV2N7225
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

4

27.4

100

25

105@10V

115(Max)@10V

115(Max)

150000

130(Max)

190(Max)

170(Max)

35(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

活跃

3

Single

N

IXTH48N65X2
IXTH48N65X2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

65@10V

符合免除

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

650

±30

5

48

100

10

76@10V

76

4300@25V

660000

15

26

50

19

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.3(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

活跃

3

Single

N

MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16@10V

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

EAR99

Compliant

46 ns

520 W

+ 150 C

20 V

- 55 C

SMD/SMT

16 mOhms

94 ns

SMPD-X

SMD

21

25.25(Max)

23.25(Max)

5.55(Max)

表面贴装

150

-55

46

94

25

13

520000

16200@25V

268

268@10V

50

200

108

5

±20

300

1

Enhancement

HiperFET

HiPerFET

活跃

Polar3 HiPerFET

Discrete Semiconductor Modules

Si

21

Single

25 ns

Discrete Semiconductor Modules

N

功率MOSFET模块

JANSR2N7484T3
JANSR2N7484T3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

70@12V

100

±20

18

8541.29.00.95

出口接触方式

不合规

TO-257AA

Tab

3

10.66(Max)

5.08(Max)

10.92(Max)

通孔

Military

150

-55

25(Max)

35(Max)

100(Max)

30(Max)

75000

1005@25V

50(Max)@12V

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSR2N7380
GRP-DATA-JANSR2N7380
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

200@12V

100

±20

14.4

50(Max)@12V

960@25V

75000

60(Max)

75(Max)

70(Max)

35(Max)

-55

150

Military

通孔

10.92(Max)

5.08(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-257AA

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

Unconfirmed

3

Single

N

IRHNA597064
IRHNA597064
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±20

56

16@12V

200(Max)@12V

7022@25V

250000

35(Max)

150(Max)

100(Max)

35(Max)

-55

150

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

活跃

3

Single

P

VMM45-02F
VMM45-02F
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-240AA

45@10V

EAR99

8541.21.00.95

无

无

功率MOSFET

HiperFET

Enhancement

2

200

±20

45

190@10V

190

4800@25V

190000

45

45

300

40

-40

150

Screw

30

20.8

92

6

TO-240AA

+ 150 C

- 40 C

螺钉安装

Compliant

NRND

Discrete Semiconductor Modules

Si

6

Dual

Discrete Semiconductor Modules

N

功率MOSFET模块

IXTA75N10P
IXTA75N10P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

无

功率MOSFET

PolarHT

Enhancement

1

100

±20

75

25@10V

74@10V

74

2250@25V

360000

45

53

66

27

-55

175

表面贴装

4.83(Max)

9.65(Max)

10.41(Max)

2

Tab

D2PAK

Compliant

8541.29.00.95

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSR2N7488T3
GRP-DATA-JANSR2N7488T3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

90@12V

130

±20

18

48(Max)@12V

965@25V

75000

35(Max)

70(Max)

25(Max)

20(Max)

-55

150

Military

通孔

10.92(Max)

5.08(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-257AA

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

活跃

3

Single

N

IXFN210N30X3
IXFN210N30X3
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

4.6@10V

SOT

SOT-227B

Screw

210A

300 V

4.5 V

695 W

N-Channel

+ 155 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

通孔

375 nC

4.6 mOhms

210 A

-55

38

210

40

15

695000

24200@25V

375

375@10V

210

±20

300

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

EAR99

Compliant

150

Screw

9.6(Max)

25.42(Max)

38.23(Max)

4

活跃

Si

4

单双源

1 Channel

695W

N